可靠性（Reliability）是权衡产品耐久力的指标 ，典范IC产品的生命周期通�？捎靡惶踉「浊撸˙athtub Curve）来体现。
如上图所示 ，集成电路的失效缘故原由大致可分为三个阶段：
Region (I) 被称作早夭期（Infancy period） ，此阶段产品的失效率急剧下降 ，失效缘故原由源于IC设计和生产历程中的缺陷；
Region (II) 被称为使用期（Useful life period） ，该阶段产品的失效率坚持稳固 ，失效缘故原由往往具有随机性 ，例如温度转变等；
Region (III) 被叫做磨耗期（Wear - Out period） ，这一阶段产品的失效率会迅速升高 ，失效缘故原由是产品恒久使用导致的老化等问题。
军工级器件老化筛选
元器件寿命试验、ESD品级、Latch_up测试评价、崎岖温性能剖析试验、集成电路微缺陷剖析、封装缺陷无损检测及剖析、电迁徙与热载流子评价剖析
凭证试验品级可分为以下几类：
一、使用寿命测试项目（Life test items）
EFR：早期失效品级测试（Early fail Rate Test）
目的：评估工艺的稳固性 ，加速缺陷失效率 ，剔除因先天性缘故原由失效的产品。
测试条件：在特准时间内动态提高温度和电压对产品举行测试。
失效机制：质料或工艺的缺陷 ，包括氧化层缺陷、金属刻镀问题、离子玷污等生产历程造成的失效。
参考标准：JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101
HTOL/LTOL：高/低温操作生命期试验（High/Low Temperature Operating Life）
目的：评估器件在超热和超电压情形下一段时间的耐久能力。
测试条件：125℃ ，1.1VCC ，动态测试。
失效机制：电子迁徙、氧化层破碎、相互扩散、不稳固性、离子玷污等。
参考数据：125℃条件下1000小时测试通过 ，IC可包管一连使用4年；2000小时测试通过 ，可一连使用8年；150℃ 1000小时测试通过包管使用8年 ，2000小时包管使用28年。
参考标准：MIT - STD - 883E Method 1005.8、JESD22 - A108 - AEIAJED - 4701 - D101
二、情形测试项目（Environmental test items）
PRE - CON：预处置惩罚测试（Precondition Test）
目的：模拟IC在使用前于一定湿度和温度条件下存储的耐久力 ，即IC从生产到使用时代存储的可靠性。
THB：加速式温湿度及偏压测试（Temperature Humidity Bias Test）
目的：评估IC产品在高温、高湿、偏压条件下对湿气的对抗能力 ，加速其失效历程。
测试条件：85℃ ，85%RH ，1.1 VCC ，Static bias。
失效机制：电解侵蚀。
参考标准：JESD22 - A101 - DEIAJED - 4701 - D122
高加速温湿度及偏压测试（HAST: Highly Accelerated Stress Test）
目的：评估IC产品在偏压下高温、高湿、高气压条件下对湿度的对抗能力 ，加速其失效历程。
测试条件：130℃ ，85%RH ，1.1 VCC ，Static bias ，2.3 atm。
失效机制：电离侵蚀、封装密封性问题。
参考标准：JESD22 - A110
PCT：高压蒸煮试验（Pressure Cook Test (Autoclave Test)）
目的：评估IC产品在高温、高湿、高气压条件下对湿度的对抗能力 ，加速其失效历程。
测试条件：130℃ ，85%RH ，Static bias ，15PSIG（2 atm）。
失效机制：化学金属侵蚀、封装密封性问题。
参考标准：JESD22 - A102、EIAJED - 4701 - B123
* HAST与THB的区别在于HAST温度更高且思量了压力因素 ，实验时间可缩短；而PCT不加偏压 ，但湿度更大。
TCT：崎岖温循环试验（Temperature Cycling Test）
目的：评估IC产品中具有差别热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。要领是通过循环流动的空气使温度在高温顺低温之间重复转变。
测试条件：Condition B: - 55℃至125℃；Condition C: - 65℃至150℃。
失效机制：电介质断裂、导体和绝缘体断裂、差别界面分层。
参考标准：MIT - STD - 883E Method 1010.7、JESD22 - A104 - AEIAJED - 4701 - B - 131
TST：崎岖温攻击试验（Thermal Shock Test）
目的：评估IC产品中具有差别热膨胀系数的金属之间界面的接触良率。要领是通过循环流动的液体使温度在高温顺低温之间重复转变。
测试条件：Condition B: - 55℃至125℃；Condition C: - 65℃至150℃。
失效机制：电介质断裂、质料老化（如bond wires）、导体机械变形。
参考标准：MIT - STD - 883E Method 1011.9、JESD22 - B106、EIAJED - 4701 - B - 141
* TCT与TST的区别在于TCT着重于package的测试 ，而TST着重于晶园的测试。
HTST：高温贮存试验（High Temperature Storage Life Test）
目的：评估IC产品在现实使用前 ，在高温条件下坚持数年不事情状态的寿命。
测试条件：150℃。
失效机制：化学和扩散效应、Au - Al共金效应。
参考标准：MIT - STD - 883E Method 1008.2、JESD22 - A103 - A、EIAJED - 4701 - B111
可焊性试验（Solderability Test）
目的：评估IC leads在粘锡历程中的可靠性。
测试要领：Step1：蒸汽老化8小时；Step2：浸入245℃锡盆中5秒。
失效标准（Failure Criterion）：至少95％良率。
详细的测试条件和估算效果可参考以下标准：MIT - STD - 883E Method 2003.7、JESD22 - B102
SHT Test:焊接热量耐久测试（Solder Heat Resistivity Test）
目的：评估IC对瞬间高温的敏感度。
测试要领：侵入260℃锡盆中10秒。
失效标准（Failure Criterion）：凭证电测试效果。
详细的测试条件和估算效果可参考以下标准：MIT - STD - 883E Method 2003.7、EIAJED - 4701 - B106
三、耐久性测试项目（Endurance test items）
周期耐久性测试（Endurance Cycling Test）
目的：评估非挥发性memory器件在多次读写算后的长期性能。
测试要领：将数据写入memory的存储单位 ，再擦除数据 ，重复该历程多次。
测试条件：室温或更高温度 ，每个数据的读写次数抵达100k ~ 1000k。
参考标准：MIT - STD - 883E Method 1033
数据坚持力测试（Data Retention Test）
目的：在重复读写后 ，加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失。
测试条件：在高温条件下将数据写入memory存储单位后 ，多次读取并验证单位中的数据。
失效机制：150℃
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